いろいろとあって、パソコン向けのメモリ(DDR4とか)の構成について
仕様を見てたんだけど、結構奥深いなと
ちょっと気になったところをいくつか上げてみた
自作PCとかでよくある問題だけど、原因の一つとしては
基板上のメモリの配線レイアウトとの整合性が合わないこと。
あまりマザーボード側を疑うことは少ないだろうけど、
ノウハウがないメーカーとか安いメーカだと
基板設計の問題で相性問題が出やすくなるのかなと思った
あと、温度要因もあったりするので、
memtestで通れば問題ないかというとそうでもないよね…。
DDR SDRAMは2つのDRAMを同時にフェッチして、
2つのデータをバースト転送することで、メモリクロックに対して2倍の転送速度となる。
DDR2, 3はDDRに対して2倍、4倍のバースト長にする(同時に同時にフェッチするDRAMも2倍、4倍)ことで
2倍、4倍の転送速度が実現できる。
(メモリクロックは世代が進んでもほとんど変わりはない。
理由は微細化が進んだぶんが容量に転嫁されてるからとか…)
以下の図を参考にするとわかりやすいです。
[拡大画像]【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 JEDECが「DDR4」とTSVを使う「3DS」メモリ技術の概要を明らかに
http://pc.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/488/696/html/20.jpg.html
問題はDDR4の場合、8倍になるか?という話
実はDDR4の場合は同時にフェッチするDRAMの数はDDR3の場合と変わっておらず、
バンクグループを2つ同時に読むことで8倍の転送速度を実現している。
ただ、このバンクグループが問題になり、一回のフェッチで
異なるグループを読む場合は8倍の転送速度となる。
しかし、同一のグループを読む場合は、性能低下が発生してしまう。
この点が今まで知らなかったし、あまり認知はされていないような気はします。